产品展示

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  650V 10A~75A系列IGBT产品（封装形式）

  基于贝岭第4代Trench FS IGBT工艺平台，采用3um pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，获得良好Vcesat-Eoff折衷，以及优秀的短路能力；终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。
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  650V 80A~200A 系列IGBT产品

  基于贝岭第7代Trench FS IGBT工艺平台，采用更加先进的1.6um pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的H FS工艺，获得足够低的Vceast和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力；终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。 点击查看更多 点击收起

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  30V/40V SGT MOS产品介绍（封装形式）

  贝岭30V/40V系列SGT MOS基于贝岭在GTA建立的最新低压SGT工艺平台，采用红磷衬底及HDP工艺：红磷衬底的电阻率只有砷衬底的1/3，可以显著降低衬底电阻；HDP工艺可以制得高密度元胞，优化电容和栅极电荷，降低沟道电阻及整体导通电阻。得益于精心调试的工艺和元胞尺寸，高密度元胞并没有额外增加应力，晶圆基于常规减薄技术可以实现100um及以下厚度规格，显著降低了衬底电阻和芯片的比导通电阻，提高了产品竞争力。
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  60~150V SGT MOS产品（封装形式）

  上海贝岭80~150V系列SGT MOS基于GTA最新的中高压SGT工艺平台，采用多层外延技术优化电场分布，弥补电场缺失部分，因此实现应用更高掺杂浓度的EPI也能保持BV不掉，从而显著降低了导通电阻。其中80~100V系列得益于工艺、版图和元胞结构的协同设计，在实现高密度元胞的同时晶圆也可以减薄至100um(非taiko)，有效降低了衬底电阻。150V系列则采用HDP工艺制备高密度元胞，通过结构的设计实现了导通电阻和栅极电荷的平衡调谐，针对不同应用需求可以定制化实现不同的电性参数。
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  200V SGT MOS产品（封装形式）

  上海贝岭200V系列SGT MOS基于GTA最新中高压SGT工艺平台，在元胞尺寸、多层外延设计、工艺匹配和版图设计等方面实现最优组合。全耗尽结构实现产品高通流能力，器件结构与布局的调控显著优化品质因子，保障产品具有竞争优势的比导通电阻和品质因子参数，同时兼具优异的EAS能力。 点击查看更多 点击收起

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  PIM（功率集成模块）产品

  上海贝岭PIM产品采用34mm、62mm、Easy2B、Easy1B等封装，集成IGBT及SiC芯片，拓扑涵盖半桥、I型三电平、六单元、七单元等。电压等级650V/1200V，电流范围15A~600A，支持中频、高频及中低频应用。适用于商业电磁炉、UPS、光伏逆变器、工业电源、变频器、OBC等场景。部分型号具备短路能力，可满足高效、高功率密度电源及电机系统设计需求。
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  IPM（智能功率模块）产品

  上海贝岭IPM产品提供DIP24-HL、DIP25-HL、DIP26-HL、SOP23、DIP29-HL、SIP35等封装，拓扑以三相全桥及二合一为主，采用IGBT及SiC芯片。电压覆盖500V~1200V，电流5A~35A，适用于中低频应用。典型应用包括空调外机、工业风机、厨电、高速风筒、主动悬架、压缩机等。多数型号具备短路能力，集成度高，适合对可靠性有严格要求的电机驱动与功率控制系统。
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